EP
Plateforme
Système de mesures pour les transistors de puissance à grand gap
Il permet la mise en œuvre des moyens de mesure de haute technicité pour analyser leur comportement haute fréquence (HF) lié à l'usage des nouveaux composants semiconducteurs à grand gap (SiC: carbure de silicium et GaN: nitrure de gallium) dans les convertisseurs d'électronique de puissance.
Analyseur d’impédance
Cet équipement est financé sur fonds propres
L'analyseur d'impédance est nécessaire à la détermination du comportement des différents composants passifs magnétiques (bobines, transformateurs) utilisés dans les convertisseurs statiques.
Centrale d’acquisition de données
Le système d'acquisition de données met en oeuvre des moyens de mesure de haute technicité qui permettent notamment d'analyser le comportement des nouveaux composants semiconducteurs à grand gap (SiC et GaN) dans les convertisseurs d'électronique de puissance.